阿特（f）高度多孔三维石墨烯表面上的GNR示意图。

斯拟生产2013年获得何梁何利科学技术奖。国新硅片2016年当选为美国国家工程院外籍院士。

坦白地说，建5基地尽管其合成是在相对较低的温度下进行的，但目前其商业化的瓶颈在于合成效率低和成本高。阿特2004年以成果若干新型光功能材料的基础研究和应用探索获国家自然科学二等奖（第一获奖人）。由于聚（芳基醚砜）的高分子量，斯拟生产该膜表现出良好的物理性能。

1992年作为中日联合培养的博士生公派去日本东京大学学习，国新硅片师从国际光化学科学家藤岛昭。迄今Nature,Acc.Chem.Res.,Chem.Soc.Rev.,J.Am.Chem.Soc.,Angew.Chem.Int.Ed.,Adv.Mater.等国际化学和材料界等杂志上发表论文500余篇（他引15000余次），建5基地出版合著4部，建5基地合作译著1部，担任担任《CCSChemistry》主编、《光电子科学与技术前沿丛书》主编、《中国大百科全书》第三版化学学科副主编、物理化学分支主编。

高导电性、阿特卓越的吸附能力和精细的结构使GQF成为一种很有前途的实时气体检测方法。

国内光化学界更是流传着关于藤岛昭教授一门三院士，斯拟生产桃李满天下的佳话。研究人员后续研究是实施正交试验，国新硅片以优化BP和2DG之间的比例，以获得更好的治疗效果。

这项工作可以扩大BPNS的生物医学应用，建5基地并为纳米药物在肾脏疾病治疗中的应用提供新的见解。阿特体外和体内的结果均证明了BP和2DG之间的协同作用。

此外，斯拟生产石墨烯既增强了材料的电导率，又提供了通往由磷的氧化还原反应产生的电子的优先途径。结果，国新硅片NiOOH/BP/BiVO4以1.23V（vs.RHE）的偏压实现了4.48mA·cm-2的光电流密度，这比纯BiVO4高4.2倍，比NiOOH/BiVO4高1.5倍。